ترانزیستور MOSFET مدل STP80NF55-06 | برند STMicroelectronics | سری STripFET™ II
ترانزیستور STP80NF55-06 یک MOSFET قدرت کانال N از خانواده STripFET™ II شرکت STMicroelectronics است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان و جریان بالا طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ درین-سورس 55 ولت، جریان نامی 80 آمپر و مقاومت روشن بسیار پایین، گزینهای مناسب برای مدارهایی است که به راندمان بالا، افت ولتاژ کم و عملکرد مطمئن نیاز دارند.
این MOSFET با فناوری اختصاصی Single Feature Size™ و ساختار strip-based تولید شده و به دلیل چگالی بالای ساختار داخلی، تلفات هدایتی کم و توانایی عالی در تحمل dv/dt، در مدارهای قدرت عملکرد بسیار خوبی دارد. همچنین این قطعه 100% از نظر Avalanche تست شده و برای شرایط کاری سخت نیز قابل اعتماد است.
مشخصات فنی برجسته
- نوع قطعه: MOSFET کانال N
- ولتاژ Drain-Source (VDS): 55V
- جریان Drain پیوسته: 80A
- جریان Drain پالسی: 320A
- مقاومت روشن (RDS(on)) تیپیک: 0.005Ω
- مقاومت روشن حداکثر: 0.0065Ω
- ولتاژ Gate-Source: ±20V
- توان تلفاتی کل: 300W در دمای کیس 25°C
- انرژی Avalanche تکپالس: 1.3J
- دمای کاری پیوند: از
-55تا+175°C - پکیج: TO-220
ویژگیهای کلیدی
- مقاومت روشن بسیار پایین برای کاهش تلفات
- توان عبور جریان بالا
- تحمل عالی در برابر dv/dt
- تستشده 100% در برابر avalanche
- مناسب برای سوئیچینگ سریع
- بار گیت مناسب برای طراحی درایور
- دارای دیود داخلی Source-Drain
مشخصات
ولتاژ شکست Drain-Source: حداقل 55V
جریان نشتی Drain: بسیار پایین
ولتاژ آستانه گیت: حدود 2 تا 4 ولت
بار کل گیت: تیپیک 142nC
زمان روشن شدن: حدود 27ns
زمان خاموش شدن: حدود 125ns
زمان افت: حدود 65ns
مشخصات دیود داخلی
- جریان Source-Drain: تا 80A
- ولتاژ هدایت مستقیم: حداکثر 1.5V
- زمان بازیابی معکوس: حدود 100ns
کاربردها
- مبدلهای DC-DC
- منابع تغذیه سوئیچینگ
- مدارهای قدرت
- درایو موتور
- سوئیچینگ بارهای القایی
- مدارات جریان بالا
- سیستمهایی که به تلفات پایین و راندمان بالا نیاز دارند






بررسی ها
هنوز هیچ بررسی وجود ندارد.