ترانزیستور IGBT مدل SGT40U120FD1P7

ترانزیستور SGT40U120FD1P7 یک IGBT قدرتمند و با کارایی بالا از شرکت Silan Microelectronics است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا و توان‌های بسیار بالا طراحی شده و از فناوری +Silan Trench Gate Field Stop IV بهره می‌برد. با ولتاژ کاری 1200 ولت و جریان 40 آمپر، این IGBT ایده‌آل برای استفاده در تجهیزات صنعتی سنگین و پرقدرت است که نیاز به قابلیت اطمینان و راندمان بالا دارند. ویژگی‌هایی مانند تلفات هدایتی و سوئیچینگ بسیار کم، مقاومت در برابر ولتاژ بالا و سوئیچینگ سریع، این محصول را به انتخابی برتر در صنایع مختلف تبدیل کرده است.

این IGBT مجهز به یک دیود Fast Recovery (FRD) داخلی است که به بهبود عملکرد در مدارهای مبدل، اینورتر و سیستم‌های UPS کمک شایانی می‌کند.

مشخصات فنی برجسته:

• پکیج: TO-247-3L
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCE): 1200 ولت
• جریان کلکتور (IC): 40 آمپر (در دمای 100 درجه سانتی‌گراد کیس) / 80 آمپر (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد کیس)
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حداکثر 2.7 ولت (در IC=40A, VGE=15V, Tj=25°C)
• حداکثر توان اتلافی (PD): 312 وات (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد کیس)
• محدوده دمای عملکرد پیوند (TJ): 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• مقاومت حرارتی پیوند به کیس (RθJC) برای IGBT: حداکثر 0.4 درجه سانتی‌گراد بر وات
• زمان تأخیر روشن شدن (Td(on)): 44 نانوثانیه (معمولی)
• زمان خاموش شدن (Td(off)): 102 نانوثانیه (معمولی)
• مجموع شارژ گیت (Qg): 134 نانوکولن (معمولی)
• دیود داخلی: Fast Recovery Diode با ولتاژ مستقیم 2.3 ولت و زمان بازیابی معکوس 95 نانوثانیه

کاربردها:

• جوشکاری صنعتی (Industrial Welding)
• منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)
• منابع تغذیه حالت سوئیچینگ (SMPS)
• میدان‌های فتوولتائیک (Photovoltaic Fields)
• اینورترها و مبدل‌های فرکانس بالا
• درایوهای موتور