IGBT قدرت FGL60N100BNTD – 1000V 60A (TO‑264)
قطعه FGL60N100BNTD یک IGBT ترنچ از نوع NPT (Non‑Punch Through) با ولتاژ کاری 1000 ولت و جریان 60 آمپر است که با فناوری اختصاصی Fairchild طراحی شده است. این قطعه دارای دیود هرزگرد سریع داخلی (Fast Recovery Diode) بوده و برای کاربردهای سوئیچینگ سخت (Hard Switching) مانند UPS و دستگاههای جوش صنعتی مناسب است.
مشخصات فنی IGBT:
- نوع قطعه: NPT Trench IGBT
- حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (BVCES): 1000 ولت
- حداکثر جریان کلکتور (IC): 60 آمپر
- ولتاژ آستانه گیت (VGE(th)): بین 4 تا 7 ولت
- ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)):
- حدود 1.5 تا 1.8 ولت در جریان 10 آمپر
- حدود 2.5 تا 2.9 ولت در جریان 60 آمپر
- جریان نشتی کلکتور (ICES): حداکثر 1 میلیآمپر
- جریان نشتی گیت (IGES): حداکثر ±500 نانوآمپر
- حداکثر ولتاژ گیت-امیتر (VGES): ±20 ولت (استاندارد این کلاس قطعه)
مشخصات خازنی و سوئیچینگ:
- ظرفیت ورودی (Cies): حدود 6000 پیکوفاراد
- ظرفیت خروجی (Coes): حدود 260 پیکوفاراد
- ظرفیت انتقال معکوس (Cres): حدود 200 پیکوفاراد
- زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): حدود 140 نانوثانیه
- زمان افزایش (tr): حدود 320 نانوثانیه
- زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): حدود 630 نانوثانیه
- زمان کاهش (tf): حدود 130 نانوثانیه
- شارژ کل گیت (Qg): حدود 275 نانوکولن
- شارژ گیت-امیتر (Qge): حدود 45 نانوکولن
- شارژ گیت-کلکتور (Qgc): حدود 95 نانوکولن
مشخصات دیود داخلی (Fast Recovery Diode):
- ولتاژ مستقیم دیود (VFM):
- حدود 1.2 تا 1.7 ولت در 15 آمپر
- حدود 1.8 تا 2.1 ولت در 60 آمپر
- زمان بازیابی معکوس (trr): حدود 1.2 تا 1.5 میکروثانیه
- جریان نشتی معکوس (IR): حداکثر 2 میکروآمپر در 1000 ولت
ویژگیهای کلیدی:
- سوئیچینگ پرسرعت
- ولتاژ اشباع پایین
- امپدانس ورودی بالا
- تحمل مناسب در شرایط آوالانچ
- قابلیت کارکرد موازی آسان
- مناسب برای کاربردهای توان بالا و سوئیچینگ سخت
بررسی ها
هنوز هیچ بررسی وجود ندارد.