IGBT مدل MBQ60T65PES

MBQ60T65PES یک ترانزیستور قدرت IGBT از نوع High Speed Fieldstop Trench و نسل دوم است که توسط شرکت .Magnachip Semiconductor Ltd تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت با راندمان بالا، تلفات کم و عملکرد پایدار طراحی شده و گزینه‌ای مناسب برای استفاده در اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ، UPS، دستگاه‌های جوش، PFC و گرمایش القایی محسوب می‌شود.

این IGBT با بهره‌گیری از فناوری پیشرفته Field Stop Trench IGBT 2nd Generation، سرعت سوئیچینگ بالا، مقاومت ورودی زیاد، و عملکرد حرارتی مناسب را ارائه می‌دهد. همچنین به دلیل استفاده از پکیج TO-247، دفع حرارت مطلوب و نصب آسان روی هیت‌سینک را فراهم می‌کند.

مشخصات فنی

• مدل قطعه: MBQ60T65PES
• نوع قطعه: IGBT
• تکنولوژی ساخت: High Speed Fieldstop Trench
• نسل: Second Generation
• سازنده: Magnachip Semiconductor Ltd.
• پکیج: TO-247
• ولتاژ کلکتور-امیتر: 650V
• جریان کلکتور مداوم: 100A در دمای کیس 25 درجه
• جریان کلکتور مداوم: 60A با محدودیت دمای پیوند به 100 درجه
• جریان پالس کلکتور: 180A
• ناحیه امن خاموشی: 180A
• ولتاژ گیت-امیتر: ±20V
• توان تلفاتی: 535W در دمای کیس 25
• توان تلفاتی: 267W در دمای کیس 100
• زمان تحمل اتصال کوتاه: 5µs
• دمای کاری پیوند: -40 تا +175°C
• دمای نگهداری: -55 تا +150°C
• دمای لحیم‌کاری: 260°C

ویژگی‌ها

• سرعت سوئیچینگ بالا
• تلفات هدایت و سوئیچینگ پایین
• مقاومت ورودی بالا
• راندمان مناسب در کاربردهای قدرت
• پایداری حرارتی بالا
• مناسب برای کار در توان‌های بالا
• عملکرد مطمئن در شرایط صنعتی

کاربردها

• اینورترهای خورشیدی و صنعتی
• UPS
• دستگاه‌های جوش
• مدارهای PFC
• بخاری‌های القایی
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• درایو موتور و تجهیزات الکترونیک قدرت