G50T65D — ترانزیستور IGBT سری Trenchstop (650 ولت / 50 آمپر)
ترانزیستور G50T65D یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) با کارایی بالا از محصولات شرکت Jiangsu Donghai Semiconductor است. این قطعه با بهرهگیری از تکنولوژی پیشرفته FS Trench (Field Stop Trench) طراحی شده است که باعث ایجاد تعادل عالی بین تلفات هدایتی و تلفات سوئیچینگ میشود. این IGBT برای کاربردهایی با توان بالا که نیاز به پایداری حرارتی و سرعت سوئیچینگ زیاد دارند، انتخابی ایدهآل است.
ویژگیهای کلیدی
- تکنولوژی FS Trench: دارای ضریب حرارتی مثبت که موازیسازی چندین ترانزیستور را بسیار آسان میکند.
- ولتاژ اشباع پایین: مقدار بسیار کم VCE(sat) = 2.0V که باعث کاهش تلفات توان و افزایش راندمان میشود.
- قابلیت اطمینان بالا: مقاومت عالی در برابر پدیده بهمنی (Avalanche) و پایداری در شرایط سخت.
- تحمل دمای بالا: قابلیت کارکرد در دمای اتصال (Junction Temperature) تا 175 درجه سانتیگراد.
- پکیج TO-3PN: بستهبندی مناسب برای انتقال حرارت بهینه به هیتسینک.
مشخصات فنی در یک نگاه
- ولتاژ کلکتور-امیتر (VCE): 650 ولت
- جریان کلکتور (IC): 100 آمپر (در 25°C) | 50 آمپر (در 100°C)
- جریان پیک کلکتور (ICM): 200 آمپر
- ولتاژ گیت-امیتر (VGE): ±30 ولت
- توان مصرفی کل (Ptot): 320 وات (در 25°C)
- زمان تحمل اتصال کوتاه: 6 میکروثانیه
کاربردهای پیشنهادی
- دستگاههای جوش (Welding): اینورترهای جوشکاری صنعتی.
- منابع تغذیه بدون وقفه (UPS): سیستمهای ذخیرهساز انرژی و پشتیبان.
- اینورترهای سهسطحی (Three-level Inverter): مبدلهای خورشیدی و درایوهای صنعتی.
- سیستمهای سوئیچینگ توان بالا.
مشخصات الکتریکی (Tj = 25°C)
- ولتاژ آستانه گیت (VGE(th)): بین 5 تا 7 ولت (مناسب برای راهاندازی با درایورهای استاندارد).
- دیود داخلی سریع: دارای دیود هرزگرد داخلی با جریان 40 آمپر و ولتاژ فوروارد پایین (1.7V).
- ظرفیت خروجی (Coss): 115 پیکوفاراد.
- کل انرژی سوئیچینگ (Ets): 1.93 میلیژول (در دمای اتاق).
پایهبندی (Pinout)
این قطعه در پکیج TO-3PN ارائه میشود که ترتیب پایههای آن به صورت استاندارد است:
- Gate (گیت): پایه کنترل سوئیچینگ.
- Collector (کلکتور): پایه ورودی جریان اصلی (متصل به بدنه فلزی در برخی مدلها).
- Emitter (امیتر): پایه خروجی جریان.
بررسی ها
هنوز هیچ بررسی وجود ندارد.