IGBT مدل FGH60N60SMD
FGH60N60SMD یک ترانزیستور قدرت IGBT نوع Field‑Stop نسل دوم با ولتاژ 600 ولت و جریان 60 آمپر است. این قطعه با استفاده از تکنولوژی بهینهشده Field‑Stop برای عملکرد در مدارهای سوئیچینگ توان بالا طراحی شده و در کاربردهایی مثل اینورتر خورشیدی، UPS، جوشکاری، PFC، سیستمهای ذخیره انرژی و تجهیزات مخابراتی استفاده میشود. این IGBT دارای افت ولتاژ اشباع پایین، سرعت سوئیچینگ بالا، جریاندهی قوی و دمای کاری تا 175 درجه سانتیگراد است که آن را برای کار در شرایط سخت کاملاً مناسب میسازد. همراه قطعه، یک دیود سریع داخلی نیز وجود دارد که عملکرد در لحظهٔ سوئیچ و حالت معکوس را بهبود میدهد.
مشخصات اصلی FGH60N60SMD
- ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES): 600V
- جریان کلکتور:
- 60A در دمای 100°C
- 120A در دمای 25°C
- جریان پالس کلکتور: 180A
- ولتاژ گیت–امیتر: ±20V (لحظهای ±30V)
- توان تلفاتی:
- 600W در 25°C
- 300W در 100°C
- حداکثر دمای کاری: −55 تا +175°C
- پکیج: TO‑247‑3LD
- دیود داخلی: وجود دارد (Fast Recovery)
ویژگیهای مهم
- تکنولوژی Field‑Stop نسل دوم
- VCE(sat) پایین: حدود 1.9V در جریان 60A
- قابلیت تحمل دمای بالا تا 175°C
- تلفات سوئیچینگ کم:
- Eoff ≈ 7.5 µJ/A
- پارامترهای دقیق و ثابت برای استفاده مطمئن در تجهیزات صنعتی
- High input impedance (بارگذاری گیت پایین)
- امکان موازیسازی آسان به دلیل ضریب دمایی مثبت
- کاملاً سازگار با RoHS
مشخصات سوئیچینگ
- Turn‑on delay: حدود 18–27ns
- Rise time: حدود 47–70ns
- Turn‑off delay: حدود 104–146ns
- Fall time: 50–68ns
- Total switching loss: حدود 1.7–2.5mJ در شرایط تست استاندارد
- Gate Charge کل: حدود 189nC (حداکثر 284nC)
مشخصات دیود داخلی
- افت ولتاژ دیود (VFM):
- حدود 2.1V در 30A (25°C)
- زمان بازیابی معکوس (Trr):
- 30ns در 25°C
- 72ns در 175°C
- بار بازیابی معکوس (Qrr):
- حدود 44–62nC در 25°C
- تا 238nC در 175°C
کاربردهای FGH60N60SMD
این قطعه برای کاربردهای قدرت متوسط و بالا مناسب است:
- اینورترهای خورشیدی
- UPS
- دستگاه جوش (Welder)
- PFC و اصلاح ضریب توان
- منابع تغذیه قدرت
- سیستمهای ذخیره انرژی (ESS)
- تجهیزات صنعتی و مخابراتی
بررسی ها
هنوز هیچ بررسی وجود ندارد.