ترانزیستور IGBT مدل HGTG11N120CND | برند Fairchild (ON Semiconductor) | سری NPT

ترانزیستور HGTG11N120CND یک IGBT از نوع NPT (Non-Punch Through) و دارای ولتاژ کاری بالای 1200 ولت است که توسط شرکت Fairchild (که اکنون بخشی از ON Semiconductor است) تولید شده است. این قطعه که به یک دیود آنتی‌پارالل فوق‌سریع (Hyperfast Diode) مجهز شده، ترکیبی از امپدانس ورودی بالای ماسفت‌ها و تلفات هدایتی پایین ترانزیستورهای دوقطبی را ارائه می‌دهد. این IGBT برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا در فرکانس‌های متوسط که نیاز به تلفات هدایتی بسیار پایین دارند، طراحی شده است.

مشخصات فنی برجسته:

• ولتاژ کلکتور-امیتر (BVCES): 1200 ولت
• جریان کلکتور (IC): 43 آمپر (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد کیس) / 22 آمپر (در دمای 110 درجه سانتی‌گراد کیس)
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(SAT)): معمولاً 2.1 ولت (در IC=11A و Tj=25°C)
• حداکثر توان اتلافی (PD): 298 وات (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد)
• زمان تحمل اتصال کوتاه (tSC): 8 میکروثانیه (در VGE=15V)
• محدوده دمای کاری (TJ): 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• مقاومت حرارتی پیوند به کیس (RθJC): 0.42 °C/W برای IGBT و 1.25 °C/W برای دیود
• پکیج: TO-247 (استاندارد JEDEC)

ویژگی‌های کلیدی:

• تکنولوژی NPT (Non-Punch Through): پایداری بالا و رفتارهای قابل پیش‌بینی حرارتی.
• تلفات هدایتی پایین: مناسب برای بهبود راندمان در بارهای جریانی.
• مجهز به دیود آنتی‌پارالل Hyperfast: کاهش تلفات بازیابی معکوس در بارهای القایی.
• قابلیت عملکرد در 1200 ولت (SSOA): اطمینان بالا در شرایط سوئیچینگ ولتاژ بالا.
• امپدانس ورودی بالا: سهولت در درایو کردن گیت (مشابه ماسفت).

کاربردها:

• کنترل دور موتورهای AC و DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ (Power Supplies)
• درایورهای سلونوئیدها (Solenoids)
• رله‌ها و کنتاکتورها
• اینورترهای صنعتی و کاربردهای ولتاژ بالا

مشخصات الکتریکی (Tj = 25°C):

• ولتاژ آستانه گیت (VGE(TH)): حداقل 6.0 ولت
• شارژ گیت (QG): 100 نانوکولن (در 15 ولت)
• زمان سقوط (Fall Time): حدود 190 نانوثانیه (در دمای 25 درجه) و 360 نانوثانیه (در دمای 150 درجه)
• انرژی سوئیچینگ (Turn-Off Energy): حدود 1.3 میلی‌ژول (در دمای 25 درجه)