فیبرونیک

ترانزیستور IGBT برند INFINEON مدل K50T60

ترانزیستور آی جی بی تی 50A و 600V برند اینفینیون مدل IKW50N60T پکیج PG-TO247-3

دانلود دیتاشیت

524,790 تومان

موجود

گارانتی اصالت و سلامت فیزیکی
    ارسال سریع

پست رایگان سفارش بالای 5 میلیون تومان
تیپاکس رایگان سفارش بالای 10 میلیون تومان

ثبت فاکتور رسمی با ذکر مشخصات در توضیحات سفارش

پشتیبانی 24 ساعته با:

ترانزیستور IGBT مدل IKW50N60T (Infineon – TRENCHSTOP™ Series)

ترانزیستور IKW50N60T یک IGBT فوق‌العاده با عملکرد بالا از سری TRENCHSTOP™ شرکت Infineon است که به طور خاص برای کاربردهای مبدل فرکانس (Frequency Converters) و منابع تغذیه با توان بالا (High Power Applications) طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ 600 ولت و جریان 50 آمپر، همراه با یک دیود Duopack (دیود آنتی‌پارالل با بازیابی سریع و کنترل‌شده)، راه‌حلی ایده‌آل برای بهینه‌سازی سیستم‌های الکترونیک قدرت ارائه می‌دهد.

این IGBT از فناوری TRENCHSTOP™ و Fieldstop بهره می‌برد که منجر به تلفات سوئیچینگ بسیار کم (Low Switching Losses)، تلفات هدایتی پایین (Low Conduction Losses) و VCE(sat) بسیار کم (typ. 1.5V) می‌شود. این ویژگی‌ها کارایی سیستم را به طور چشمگیری افزایش داده و گرمای تولیدی را کاهش می‌دهند.

مشخصات فنی برجسته:

  • ولتاژ کلکتور-امیتر (VCE): 600 ولت
  • جریان کلکتور (IC): 50 آمپر (در دمای 100 درجه سانتی‌گراد کیس) / 80 آمپر (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد کیس)
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): معمولاً 1.5 ولت (در IC=50A, VGE=15V, Tj=25°C)
  • حداکثر توان اتلافی (Ptot): 333 وات (در دمای 25 درجه سانتی‌گراد کیس)
  • محدوده دمای عملکرد پیوند (TJ): 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد (حداکثر دمای پیوند 175 درجه سانتی‌گراد)
  • مقاومت حرارتی پیوند به کیس (RthJC) برای IGBT: 0.45 K/W
  • زمان تأخیر روشن شدن (Td(on)): 26 نانوثانیه (در Tj=25°C) / 27 نانوثانیه (در Tj=175°C)
  • مجموع شارژ گیت (QGate): 110 نانوکولن (معمولی)
  • دیود داخلی: دیود آنتی‌پارالل با بازیابی سریع (Fast Recovery Anti-Parallel Emitter Controlled HE Diode)
  • زمان بازیابی معکوس دیود (trr): 143 نانوثانیه (در Tj=25°C) / 205 نانوثانیه (در Tj=175°C)

ویژگی‌های کلیدی:

  • فناوری TRENCHSTOP™ و Fieldstop: برای بهینه‌سازی عملکرد و کاهش تلفات.
  • تلفات هدایتی و سوئیچینگ بسیار کم: بهبود راندمان کلی سیستم.
  • حداکثر دمای پیوند 175°C: قابلیت اطمینان بالا در دماهای کاری بالا.
  • سوئیچینگ بسیار سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا.
  • EMI پایین: نویز الکترومغناطیسی کم.
  • پکیج Duopack (PG-TO247-3): شامل IGBT و دیود با بازیابی سریع.
  • سازگار با RoHS و بدون سرب (Pb-free).

کاربردها:

  • مبدل‌های فرکانس (Frequency Converters)
  • منابع تغذیه توان بالا (High Power Applications)
  • UPS
  • شارژرهای خورشیدی (Solar Chargers)
  • درایوهای موتور (Motor Drives)
  • سیستم‌های اینورتر
وزن8 گرم

بررسی ها

هنوز هیچ بررسی وجود ندارد.

Be the first to review “ترانزیستور IGBT برند INFINEON مدل K50T60”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *