ترانزیستور IGBT مدل SGT50T65FD1PN

SGT50T65FD1PN یک ترانزیستور قدرت IGBT فیلد-استاپ (Field Stop IV) از شرکت Silan Microelectronics است که برای مدارهای سوئیچینگ توان با راندمان بالا طراحی شده و به‌صورت همراه با دیود بازیابی سریع (Fast Recovery Diode / FRD) عرضه می‌شود. این قطعه با تحمل 650 ولت و جریان کاری 50 آمپر، گزینه‌ای مناسب برای کاربردهایی مثل گرمایش القایی (Induction Heating)، UPS، SMPS و PFC است؛ جایی که هم تلفات هدایتی پایین و هم سوئیچینگ سریع اهمیت دارد.

یکی از نقاط قوت این مدل، ولتاژ اشباع پایین کلکتور-امیتر است؛ مقدار VCE(sat) تیپیکال 2.2V در جریان 50A (با گیت 15V) که به کاهش تلفات و بهبود بازده کمک می‌کند. همچنین امپدانس ورودی بالا، درایو کردن گیت را ساده‌تر کرده و برای طراحی‌های صنعتی انتخاب قابل اعتمادی محسوب می‌شود.

این مدل در پکیج TO-3P (کد PN) ارائه می‌شود و برای نصب روی هیت‌سینک و مدیریت حرارت در توان‌های بالا مناسب است.

ویژگی‌های کلیدی

• IGBT فیلد-استاپ 650V / 50A
• دارای دیود FRD داخلی (مناسب بارهای القایی و سوئیچینگ)
• VCE(sat) typ = 2.2V @ IC=50A
• Fast Switching (سوئیچینگ سریع)
• Low Conduction Loss (تلفات هدایتی پایین)
• High Input Impedance (امپدانس ورودی بالا)

کاربردها

• گرمایش القایی (Induction Heating)
• UPS
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• اصلاح ضریب توان (PFC)
• اینورترها و مبدل‌های صنعتی

مشخصات فنی

پکیج: TO-3P (کد PN)

ولتاژ کلکتور-امیتر: 650 ولت

جریان کلکتور: 100 آمپر (در TC=25°C) / 50 آمپر (در TC=100°C)

ولتاژ گیت-امیتر: ±20 ولت (لحظه‌ای: ±30 ولت)

ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حدود 2.2 ولت (Typ) @ IC=50A, VGE=15V, 25°C (حدود 2.4V Typ در 125°C)

ولتاژ آستانه گیت (VGE(th)): حدود 4 تا 6.5 ولت (Typ: 5V)

توان اتلافی: 235 وات

محدوده دمای کاری: 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد

زمان روشن شدن: حدود 45ns (Td(on)) + 145ns (Tr)

زمان خاموش شدن: حدود 125ns (Td(off)) + 130ns (Tf)

دیود داخلی: Fast Recovery Diode (FRD) (Trr حدود 33ns)